半導體(一)
黃光微影製程用材料-光阻
Material for Photolithography-Photoresist
細線圖案形成用光阻-剝離工程用(NPR9700 Series)
產品特性：
- 剝離工程用正型光阻。
- 曝光波長範圍：g線至i線。
- 無需採用特殊工程，可以簡單地形成倒錐形。
- 因免去蝕刻工程而降低成本。
- 良好的剝離性。
- 可根據客戶所需膜厚，提供相應的黏度。(應用實例：化合物半導體、光學元件、RF元件、難蝕刻材料)
細線圖案形成用光阻-金屬蝕刻用(GRX-M Series)
產品特性：
- 金屬蝕刻用正型光阻。
- 可對應旋轉塗佈及CAP塗佈，大型玻璃基板有良好的塗佈性。
- 曝光波長範圍：g線至i線，可進行雷射描繪。
- 可用有機鹼及無機鹼顯影。
- 由於最佳化配方，雷射直寫大型玻璃基板的塗佈高度均一化。
- 優化光阻圖案形狀，提高金屬蝕刻性能。
- 卓越的附著性(側面蝕刻少)。
- 良好的剝離性。(應用實例:液晶顯示器，空白光罩)
我們還進行各種特殊光阻及感光性絕緣膜等開發。
運用對化學品特性的深刻掌握，長瀨集團NCX以高度彈性的研發能力，致力於提供客戶最可靠的產品；長期的深耕於產業界，產品與服務深獲合作夥伴的信賴；為了美好的未來而拓展化學。