先端半導体工程薬液
（中間工程、後工程関係）
先端半導体業界では、一般的にフォトリソグラフィによる金属配線形成が行われています。工程により使用材料は異なり、前工程ではポジ型の液体レジストとドライエッチングによる工法が用いられ、ドライエッチング後の薬液洗浄も必要です。中間工程や後工程では、近年厚膜のドライフィルムレジスト（以下DFR）を用いた製造工程が適用されることも増えており、NAGASEはDFR剥離剤の開発・販売にも力を入れています。
先端半導体業界では、洗浄・剥離性能は高くする必要がある一方で、多種多様な材料・部材への腐食やダメージ性は低減する必要があり、通常では両立できない性能を求められることが多くあります。私たちはトレードオフ関係を解消した、複数の性能を併せ持つ薬液のご提案が可能です。
半導体工程別薬液ラインナップ
- ・ BARC用剥離液
- ・ Cu,AI残渣除去液
- ・ MHM用残渣除去液
- ・ MHMエッチャント
- ・ Pad洗浄液
- ・ DFR剥離液
- ・ 厚膜レジスト剥離液
- ・ 低CDロスCuIエッチャント
- ・ Tiエッチャント
- ・ SnAgリワーク液
- ・ PI溶解液
- ・ DFR剥離液
- ・ Cuエッチャント
- ・ その他 各種金属エッチャント
- ・ ダイシング後洗浄
- ・ PI溶解液
- ・ MC溶解液
前工程用の薬液（剥離液やPad洗浄液、エッチャントなど）やその他記載薬液については別途お問い合わせください（開発ステージの製品も含みます）。
※MHM：Metal Hard Mask PI：ポリイミド MC：Molding Compound
半導体のセミアディティブ工程別薬液ラインナップ
各種半導体の製造工程では、複数のフォトリソグラフィ工程が利用されています。ドライエッチングを利用した工程やメッキを利用する工程例がその代表です。以下に、メッキを利用する工程であるセミアディティブ（SAP）工程の例と、工程で利用する剥離液・エッチャントの例を示します。
パターンニング（デカスム）
N-SC シリーズ
DFRに対する高溶解・剥離力低ダメージ (Cu, SnAg, PI, MC etc.)
N-CE シリーズ
- ・ 均一なエッチング性
- ・ 低CDロス
- ・ ロングバスライフ
N-TE シリーズ
- ・ 均一なエッチング性
- ・ 低サイドエッチング
- ・ ロングバスライフ
前工程用の薬液（剥離液やPad洗浄液、エッチャントなど）やその他記載薬液については別途お問い合わせください（R&Dステージの開発品含みます）。
製品情報
ドライフィルムネガレジスト剥離液 N-SC238
N-SC238はCuめっき工程等に用いられるドライフィルムタイプのネガレジスト用剥離液です。
特徴
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ネガレジストに対する優れた剥離力
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ネガレジストを完溶し基板付着およびフィルター詰りを抑制
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ロングバスライフ
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Cu、Ti、ポリイミドなどに対してダメージが少ない
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剥離後に直接水洗が可能
プロセス例
Dip or Shower
Dip or Shower
剥離例
注意事項
ご使用の前にSDSをお読みください
Cuエッチャント N-CE1
N-CE1は、めっきプロセスにおけるCuシード用のエッチング液です。過酸化水素を含まないため安定性に非常に優れています。
N-CE series / Cu Etchantについて
特徴
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過酸化水素非含有
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優れた経時安定性
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PRTR, PFOS,PFOA該当物質を非含有
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非毒劇物、非危険物
適用例（Cu再配線）
プロセス例
Shower or Dip
Shower
基本性能
| Cu | Ti | |
|---|---|---|
| エッチング 速度 (@40°C) |
25 | <1 |